半導体物性なんでもQ&A -対話から生まれた半導体教本-

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半導体物性なんでもQ&A -対話から生まれた半導体教本-

ハンドウタイブッセイナンデモキューアンドエータイワカラウマレタハンドウタイキョウホン

350,000アクセスを誇る人気サイト『物性なんでもQ&A』がついに書籍化!
   
研究者の駆け込み寺になっている人気サイトから半導体分野の事項を厳選し編纂。
「授業で学んだけど…」的な「みんなの??」をわかりやすく解説しています。
紡ぎ出された対話から学ぶユニークな半導体教本。


[著者略歴]
佐藤勝昭
科学技術振興機構(JST)さきがけ「次世代デバイス」研究総括/東京農工大学名誉教授


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目次

第1部 もっと知りたい!半導体デバイス
Stage 1 p-n接合の拡散電位差を電池として利用できるか
Stage 2 p-n接合ダイオードの順方向電流-電圧特性
Stage 3 金属の種類とショットキー接合
Stage 4 シリコンにショットキー障壁を作る金属
Stage 5 バイポーラトランジスタの電流増幅率の温度依存性
Stage 6 パンチスルー現象
Stage 7 半導体素子の温度依存性
Stage 8 p-n接合の光電流
Stage 9 フォトダイオード
Stage 10 フォトダイオードの受光領域
Stage 11 太陽電池の理論的最大変換効率の導出法
Stage 12 太陽電池の低温特性
Stage 13 太陽電池作製に必要なシリコンの量
Stage 14 ソーラーパネルは発光するか
Stage 15 LED(発光ダイオード)の発光の原理
第2部 半導体物性のココが難しい!
Stage 16 半導体のフェルミ準位はなぜバンドギャップの真ん中にくるのか
Stage 17 間接遷移がわからない
Stage 18 間接遷移・直接遷移は何によって決まるのか
Stage 19 シリコンの直接バンドギャップ
Stage 20 GaAs,GaPのバンドギャップ
Stage 21 バンドギャップの温度依存性
Stage 22 なぜZnOはn形で,NiOはp形か
Stage 23 融点以上での半導体のキャリア密度
Stage 24 ホッピング伝導とトンネル伝導の違い
Stage 25 水素化アモルファスシリコンの電子移動度とホール移動度の差はなぜか
Stage 26 半導体の誘電率
Stage 27 ドーピングによってシリコンの色は変わるのか
Stage 28 絶縁体はすべて透明か
Stage 29 半導体のサブギャップ吸収
Stage 30 なぜ光伝導スペクトルを測定するのか
Stage 31 半導体中の空間電荷制限電流の温度依存性
Stage 32 オーミックな電流より多く流れるのに,なぜ空間電荷「制限電流」と呼ぶのか
etc

書誌情報

紙版

発売日

2010年06月12日

ISBN

9784061557857

判型

A5

価格

定価:2,860円(本体2,600円)

ページ数

176ページ

初出

本書は著者のウェブサイト「物性なんでもQ&A」に寄せられた多くの質問と、それに対する回答のうちから半導体に関するものを抜粋し、半導体教本として編纂したもの。

著者紹介

著: 佐藤 勝昭(サトウ カツアキ)

科学技術振興機構(JST)さきがけ「次世代デバイス」研究総括/東京農工大学名誉教授

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